11月8日，贝斯特bst游戏集团控股的上市公司国星光电子公司风华芯电在封装形式上取得新突破，成功开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。该模块相对于传统键合线框架封装，模块体积减少超67％，电路板布板面积减少30%，尺寸仅为6×7×0.45毫米，整体封装结构更紧凑、产品性能更出色，能够为快充等消费电子行业市场应用提供更优的技术解决方案。
▲扇出型D-mode氮化镓半桥模块示意图
强化技术创新
塑造竞争新优势
风华芯电此次推出的D-mode氮化镓半桥模块创新采用自主研发的扇出面板级封装形式，实现了在更狭小的空间内完成更复杂的电气互连、更短的互连线路。在推动模块整体体积减少、布板尺寸缩减的同时，实现寄生电感、电阻更小，可充分发挥氮化镓材料的高频、高效率的特性，满足消费电子行业市场产品小型化、集成化、高效能化的应用需求。
▲D-mode氮化镓半桥模块扇出面板级封装布线结构示意图
持续推进“三优”
赋能产品提质增效
基于扇出面板级封装形式，D-mode氮化镓半桥模块实现了“三优”目标：
性能更优：
为验证模块的体积和性能，风华芯电将该模块应用于100W的开关电源中。该开关电源整体尺寸为60×50×27毫米，实验得出模块体积和布板面积有效减少，电源峰值效率可达到95%。
在热管理方面，电源产品在环境温度为25℃、密封空间内老化电源1小时后的条件下，模块位置最高温度为78.9℃，整个电源最高温度为86.4℃，模块发热量低且散热快。
可靠性更优
通过将该模块与常规分立封装产品对比，开通速度提升了17.59%，开通损耗下降了10.7%。开关损耗的显著降低，全面提升了产品的可靠性。
综合成本更优
在原材料方面，该模块无需采用铜基板，有利于降低规模生产的封装成本。同时得益于模块性能的提升和散热需求的降低，可减少控制系统热设计的成本。
此外，该模块可与Si MOSFET栅极驱动器兼容，驱动简便，在保留氮化镓材料最优性能的同时，具备了最高Si MOSFET栅极的可靠性，可为客户提供高性能、高可靠性和高性价比的解决方案。
▲D-mode氮化镓半桥模块适配多场景应用
持续优化布局
加快发展新质生产力
风华芯电作为一家专业从事半导体分立器件、集成电路的研发、生产、封装、测试和销售的国家级高新技术企业，目前拥有20余条国际先进的半导体封装测试自动化生产线，可生产包括TO、SOT、SOD、SOP、TSSOP 、QFN 、DFN等在内的20多个封装系列，产品品种数量超1000种，可满足第三代半导体及先进封测市场多元化的应用需求。
下一步，国星光电及风华芯电将持续深入实施创新驱动发展战略，培育发展新质生产力，推动半导体封测技术更新迭代，不断提高核心竞争力，加快高质量发展步伐。
撰稿：国星光电黄昌、翁雯静
编辑：刘韵
编审：杜文光