近日，贝斯特bst游戏上市公司国星光电开发的1200V/80毫欧 SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件成功获得了AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使其成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料，具备绝缘击穿场强是Si（硅）的10倍、带隙宽度是Si（硅）的3倍、耐温能力高等的特点，故被认为是一种超越Si极限的功率器件材料，能够制造出600伏乃至更高耐压功率器件，主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。
▎创新突破 无惧极限考验
本次国星光电获得的AEC-Q101车规级认证是车规元器件重要的认证标准之一，其中通过的HV-H3TRB可靠性验证，意味着功率器件在极端运行环境下仍有优良耐受能力和使用期限。当前，获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性考核逐渐成为各大主流汽车厂家对高可靠性功率器件的通用要求。聚焦SiC-MOSFET器件性能的优化升级，国星光电充分发挥领先的封装技术优势，采用自主研发的国星光电NSiC-KS封装技术，明显提升产品可靠性和电性能优势。
▎因需而至 应用场景丰富
近年来，国星光电积极应对市场变化，大力推进功率分立器件封装产品的优化升级，分别完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN贴片类优势封装结构的开发，目前已拥有适用于主流电压规格650V与1200V平台的SiC-MOSFET、SiC-SBD两大产品系列，可广泛应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。
依托丰富的半导体封装经验、严格的质量把控标准、先进的功率器件生产线以及经验丰富的专业技术人才队伍，国星光电可根据客户需求提供高性能、高可靠性、高品质的封装产品及技术解决方案，助力客户提升产品性能和市场竞争力。
撰稿：国星光电王冠玉
编辑：刘韵
编审：杜文光